Simple, Corriente Máxima Continua de Drenaje: -3,2 A, Tipo de Encapsulado: DFN1010D-3, SOT1215, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 880 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: -1V, Tensión de umbral de puerta mínima: -0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 8.330 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 8 V, Altura: 0.36mm Nexperia MOSFET PMXB65UPEZ, VDSS -12 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 de 4 pines,, config.
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Nexperia MOSFET PMXB65UPEZ, VDSS -12 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 De 4 Pines,, Config. Simple
Specifications of Nexperia MOSFET PMXB65UPEZ, VDSS -12 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 De 4 Pines,, Config. Simple | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |