Onsemi Transistor Darlington, MJD112-1G, NPN 2 A, 100 V, HFE:1000, IPAK (TO-251), 3 Pines Simple
About The 35mm, MPN: MJD112-1G.73 x 2
onsemi Transistor Darlington, NPN 2 A, 100 V, HFE:1000, IPAK (TO-251), 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 4 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 3 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 20µA, Dimensiones: 6.73 x 2.38 x 6.35mm, MPN: MJD112-1G
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Pares Darlington
Onsemi Transistor Darlington, MJD112-1G, NPN 2 A, 100 V, HFE:1000, IPAK (TO-251), 3 Pines Simple
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Specifications of Onsemi Transistor Darlington, MJD112-1G, NPN 2 A, 100 V, HFE:1000, IPAK (TO-251), 3 Pines Simple | |
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