STMicroelectronics Microcontrolador STM32F756NGH6, Núcleo ARM Cortex M7 De 32bit, RAM 340 KB, 216MHZ, TFBGA De 216 Pines

Name: STMicroelectronics? STMicroelectronics Microcontrolador STM32F756NGH6, Núcleo ARM Cortex M7 De 32bit, RAM 340 KB, 216MHZ, TFBGA De 216 Pines, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Tamaño De La Memoria Del Programa: 1,024 MB, Número De Unidades PWM: 2 X 16 Bit, Tensión De Alimentación De Funcionamiento Típica: 1,7 → 3,6 V, Convertidores Analógico-Digital: 24 X 12 Bits, Transmisión De Datos: 480Mbps, Dimensiones: 13.15 X 13.15 X 0.76mm
Brand: STMicroelectronics
SKU: ABEA-120718
Price: 23.47 EUR
Availability: InStock

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STMicroelectronics Microcontrolador STM32F756NGH6, núcleo ARM Cortex M7 de 32bit, RAM 340 kB, 216MHZ, TFBGA de 216 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tamaño de la Memoria del Programa: 1,024 MB, Número de Unidades PWM: 2 x 16 bit, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Típica: 1,7 → 3,6 V, Convertidores Analógico-Digital: 24 x 12 bits, Transmisión de Datos: 480Mbps, Dimensiones: 13.15 x 13.15 x 0.76mm

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Bahco Vaso de impacto perfil Vaso de impacto estándar de 16mm, con cuadrado de 1/2 plg, longitud 38 mm, Imperial o Métrica: Métrico, Acabado: Ennegrecido, Material: Aleación de acero, MPN: K7801M-16

QANTEK Unidad de cristal 20MHZ, ±20ppm, HC-49/U-S, 2-Pin, 11.05 x 4.65 x 3.5mm, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Capacitancia de Carga: 18pF, Longitud: 11.05mm, Anchura: 4.65mm, Estabilidad de Frecuencia: ±30ppm, Resistencia de Serie: 40Ω, Máxima Temperatura de Funcionamiento: 85°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, MPN: QCL20.0000F18B23B

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Specifications of STMicroelectronics Microcontrolador STM32F756NGH6, Núcleo ARM Cortex M7 De 32bit, RAM 340 KB, 216MHZ, TFBGA De 216 Pines
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Last Updated January 10th, 2025 10:56 pm

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onsemi Transistor, PNP -8 A -80 V IPAK (TO-251), 3 pines, 20 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 20 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 60, Tensión Base Máxima del Colector: 10 V dc, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 6.73 x 2.38 x 6.22mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MJD45H11-1G

onsemi Transistor, MJD45H11-1G, PNP -8 A -80 V IPAK (TO-251), 3 pines, 20 MHz, Simple.

Texas Instruments Amplificador operacional LM7171BIM/NOPB, 5,5 → 36 V 200MHZ SOIC, 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Fuente de Alimentación: Doble, Unico, Tensión de Alimentación Dual Típica: ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V, Slew Rate Típico: 4100V/µs, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ganancia de Tensión Típica: 78 DB, Dimensiones: 4.9 x 3.9 x 1.45mm

Texas Instruments Amplificador operacional LM7171BIM/NOPB, 5,5 → 36 V 200MHZ SOIC, 8 pines.

STMicroelectronics IGBT, 50 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 167 W, MPN: STGWA30H65DFB2

STMicroelectronics IGBT, STGWA30H65DFB2, 50 A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1.

STMicroelectronics IGBT, 40 A, 650 V, TO-220, 3-Pines 1, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 147 W, MPN: STGP20H65DFB2

STMicroelectronics IGBT, STGP20H65DFB2, 40 A, 650 V, TO-220, 3-Pines 1.

STMicroelectronics IGBT, 40 A, 650 V, TO-220, 3-Pines 1, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 147 W, MPN: STGP20H65DFB2

STMicroelectronics IGBT, STGP20H65DFB2, 40 A, 650 V, TO-220, 3-Pines 1.

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STMicroelectronics IGBT, 40 A, 650 V, TO-220, 3-Pines 1, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 147 W, MPN: STGP20H65DFB2

STMicroelectronics IGBT, 40 A, 650 V, TO-220, 3-Pines 1, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 147 W, MPN: STGP20H65DFB2