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Honeywell Sensor De Presión Manométrica Sellada, 0bar → 16bar, 8 → 30 V, Salida Corriente, Para Aire, Líquido De

About The Honeywell Sensor de presión manométrica sellada, 0bar → 16bar, 8 → 30 V, salida Corriente, para Aire, líquido de, Precisión: ±0,25%, Media Medido: Aire, líquido de frenos, fluido hidráulico, aceite, líquido de refrigeración, agua, Salida Analógica: 4 → 20 mA, Tiempo de Respuesta:

Honeywell Sensor de presión manométrica sellada, 0bar → 16bar, 8 → 30 V, salida Corriente, para Aire, líquido de, Precisión: ±0,25%, Media Medido: Aire, líquido de frenos, fluido hidráulico, aceite, líquido de refrigeración, agua, Salida Analógica: 4 → 20 mA, Tiempo de Respuesta:

Automatización Industrial & Distribución de Baja Tensión Eléctrica > Automatización y Control de Procesos > Sensores Industriales > Sensores de Presión

Honeywell Sensor De Presión Manométrica Sellada, 0bar → 16bar, 8 → 30 V, Salida Corriente, Para Aire, Líquido De

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Specifications of Honeywell Sensor De Presión Manométrica Sellada, 0bar → 16bar, 8 → 30 V, Salida Corriente, Para Aire, Líquido De

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Brainboxes Ordenador industrial Neuron Edge, con 4 GB (Flash) / 1 GB (RAM), OS Linux, +5 V → +30 V CC/15W, IP20, Velocidad del Reloj: 1,2 Ghz, Tipo de Bus: Modbus,, Dimensiones: 120 x 45 x 99 mm, Tipo de Puerto: 1 RS232, RS422/485 dúplex completo o RS485 semidúplex, Material de la Carcasa: poliamida, Tipo de Memoria Integrada: Flash, RAM, Número de Espacios del Rack: 2.5, MPN: BB-400
    • RS PRO Amperímetro analógico de panel, valor máx.
    • Microchip Amplificador operacional MCP6V97T-E/MNY Operacional doble, 5,5 V 10MHZ MSOP, TDFN, 8 pines 10 MHz, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Canales por Chip: 2
    • Infineon Memoria SRAM, 16Mbit, 512 k x 16 bits, 100MHZ, PBGA-119, VCC máx. 3.6 V

    Infineon Memoria SRAM, 16Mbit, 512 k x 16 bits, 100MHZ, PBGA-119, VCC máx. 3.6 V

    3.Infineon Memoria SRAM, 16Mbit, 512 k x 16 bits, 100MHZ, PBGA-119, VCC máx.8mm, MPN: CY7C1062G30-10BGXI.6 V, Número de Palabras: 512k, Número de Bits de Palabra: 32bit, Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: 10ns, Ancho del Bus de Direcciones: 16bit, Baja Potencia: Sí, Tipo de Temporizador: Asíncrono, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 22 x 14 x 1.

    • Infineon Memoria SRAM, 16Mbit, 512 k x 16 bits, 100MHZ, PBGA-119, VCC máx. 3.6 V

    Infineon Memoria SRAM, 16Mbit, 512 k x 16 bits, 100MHZ, PBGA-119, VCC máx. 3.6 V

    8mm, MPN: CY7C1062G30-10BGXI. 3.Infineon Memoria SRAM, 16Mbit, 512 k x 16 bits, 100MHZ, PBGA-119, VCC máx.6 V, Número de Palabras: 512k, Número de Bits de Palabra: 32bit, Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: 10ns, Ancho del Bus de Direcciones: 16bit, Baja Potencia: Sí, Tipo de Temporizador: Asíncrono, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 22 x 14 x 1.