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MENNEKES Hembra, Formato 4P, Orientación Ángulo De 90°, Rojo, 415 V, 32A, IP44

About The MENNEKES Hembra, Formato 4P, Orientación Ángulo de 90°, Rojo, 415 V, 32A, IP44, Conector Macho/Conector Hembra: Conector Hembra, Tipo de Montaje: Montaje en Pared, Método de Terminación: Sujeto con Tornillo, MPN: 1425

MENNEKES Hembra, Formato 4P, Orientación Ángulo de 90°, Rojo, 415 V, 32A, IP44, Conector Macho/Conector Hembra: Conector Hembra, Tipo de Montaje: Montaje en Pared, Método de Terminación: Sujeto con Tornillo, MPN: 1425

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Specifications of MENNEKES Hembra, Formato 4P, Orientación Ángulo De 90°, Rojo, 415 V, 32A, IP44

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Telemecanique Sensors Sensor de proximidad, M12, alcance 7 mm, 12 → 48 Vdc, IP69K, 2.5kHz, Tecnología de sensores: Inductivo, Tipo de Cuerpo: Cilindro roscado, Tipo de salida de conmutación digital: PNP, Longitud: 61mm, Tipo de Montaje: No enrasado, Material de la Carcasa: PPS, Tensión DC Máxima: 58V, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -25°C, Profundidad: 4.2mm, MPN: XS212AAPAM12
    • Maxon Motor DC serie DCX, 12 V CC, 10.4 W, 5.260 rpm, 7140 rpm, par máx. 12.5 mNm, Ø de eje 2mm
    • Maxon Motorreductor DC serie DCX, 24 V CC, 9.81 W, 5.350 rpm, par máx. 1,6 Nm, Ø de eje 2mm
    • Nexperia MOSFET PSMN4R5-40BS,118, VDSS 40 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Nexperia MOSFET PSMN4R5-40BS,118, VDSS 40 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 148 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 4.5mm.Nexperia MOSFET PSMN4R5-40BS,118, VDSS 40 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.

    • Nexperia MOSFET PSMN4R5-40BS,118, VDSS 40 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Nexperia MOSFET PSMN4R5-40BS,118, VDSS 40 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    5mm. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 6,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 148 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 4.Nexperia MOSFET PSMN4R5-40BS,118, VDSS 40 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.