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EPCOS Condensador Electrolítico Serie B41456, 22000μF, ±20%, 100V Dc, Mont. Roscado, 64.3 (Dia.) X 105.7mm

About The ) x 105.EPCOS Condensador electrolítico serie B41456, 22000μF, ±20%, 100V dc, mont

EPCOS Condensador electrolítico serie B41456, 22000μF, ±20%, 100V dc, mont. roscado, 64.3 (Dia.) x 105.7mm, Capacitancia: 22000µF, Tipo de Montaje: Terminal Roscado, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Diámetro: 64.3mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +85°C, Vida Útil: 12000h, Resistencia de Serie Equivalente: 5mΩ, Corriente de Rizado: 17A, MPN: B41456B9229M600

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Componentes Pasivos > Condensadores > Condensadores de Aluminio

EPCOS Condensador Electrolítico Serie B41456, 22000μF, ±20%, 100V Dc, Mont. Roscado, 64.3 (Dia.) X 105.7mm

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Specifications of EPCOS Condensador Electrolítico Serie B41456, 22000μF, ±20%, 100V Dc, Mont. Roscado, 64.3 (Dia.) X 105.7mm

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Texas Instruments Conv DC-DC Single-OUT Step Down 6-Pin, Corriente de Salida Máxima: 1A, Tensión de Salida Máxima: 6 V, Función del Regulador: Controlador Buck, Tensión de Salida Mínima: 0,6 V, Tensión de Entrada Mínima: 2,3 V, Tipo de Salida: Ajustable, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Frecuencia de Conmutación Máxima: 2.250 kHz, Tipo de Encapsulado: SON, Regulador de Conmutación: Sí, Regulación de Carga: -0,5%/A, Dimensiones: 2 x 2 x 0.75mm, MPN: TPS62290DRVT
    • Texas Instruments Circuito prerregulador de factor de potencia UC3854BDW, 115 kHz SOIC, 16 pines, Corriente de Arranque: 0.3mA, Interfaz: Circuito integrado del circuito prerregulador de factor de potencia, Corriente de Fuente Máxima: 14µA, Corriente de Alimentación Máxima: 18 mA, Detección de Potencia Zero: Sí, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 10.28 x 7.52 x 2.35mm, Longitud: 10.28mm, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 20 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +70 °C, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 10 V
    • onsemi AEC-Q100 Memoria EEPROM CAT24C128WI-GT3, 128kbit, 16K x, 8bit, Serie I2C, 3.5μs, 8 pines SOIC, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 16k x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 1,8 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Tensión de Programación: 1.8 → 5.5V, Dimensiones: 5 x 4 x 1.5mm, Data Retention: 100año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: 3.5µs
    • onsemi Transistor, PNP -1 A -80 V TO-225, 3 pines, 3 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 40, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BD180G
    • onsemi Transistor, PNP -1 A -80 V TO-225, 3 pines, 3 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 30 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 40, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 11.04 x 7.74 x 2.66mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BD180G