onsemi Módulo IGBT, 303 A., 1.000 V, Q2PACK (sin plomo/sin haluros) 4, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 592 W, MPN: NXH350N100H4Q2F2S1G
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Onsemi Módulo IGBT, NXH350N100H4Q2F2S1G, 303 A., 1.000 V, Q2PACK (sin Plomo/sin Haluros) 4
Specifications of Onsemi Módulo IGBT, NXH350N100H4Q2F2S1G, 303 A., 1.000 V, Q2PACK (sin Plomo/sin Haluros) 4 | |
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