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Taiwan Semiconductor MOSFET TSM300NB06CR, VDSS 60 V, ID 27 A, PDFN56 De 8 Pines

About The Taiwan Semiconductor MOSFET TSM300NB06CR, VDSS 60 V, ID 27 A, PDFN56 de 8 pines, Serie: TSM025, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 m.5V, Material del transistor: Silicio

Taiwan Semiconductor MOSFET TSM300NB06CR, VDSS 60 V, ID 27 A, PDFN56 de 8 pines, Serie: TSM025, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Taiwan Semiconductor MOSFET TSM300NB06CR, VDSS 60 V, ID 27 A, PDFN56 De 8 Pines

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Specifications of Taiwan Semiconductor MOSFET TSM300NB06CR, VDSS 60 V, ID 27 A, PDFN56 De 8 Pines

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Taiwan Semiconductor MOSFET TSM300NB06CR, VDSS 60 V, ID 27 A, PDFN56 De 8 Pines
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Microchip Transceptor CAN, 1Mbps, Estándar IEC 61000-4-2, PDIP, 8 pines, Interfaz: Circuito integrado del transceptor CAN, Modo Power Down: Standby, Corriente de Alimentación Máxima: 70 mA, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 10.2 x 7.1 x 5mm, Longitud: 10.2mm, Ancho: 7.1mm, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5,5 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MCP2561-E/P
    • TRACOPOWER Convertidor dc-dc 60W, Salida 24V dc, 2.5A, 0.5% No No, Rango de tensión de entrada: 9 → 18 V dc, Tensión de entrada nominal: 12 V dc, Tipo de montaje: Agujero pasante, Aislado: Sí, Rango de ajuste de tensión de salida: –10 → +20%, Encapsulado: 1 x 2 in, Tensión de aislamiento: 1.6kV dc, Profundidad: 10.2mm, Longitud:: 50.8mm, Ancho: 25.4mm, MPN: TEN 60-1215N
    • Taiwan Semiconductor Diodo, 15A, 45V, SMPC4.6U, 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, MPN: TSUP15M45SH
    • Taiwan Semiconductor MOSFET TSM300NB06DCR, VDSS 60 V, ID 25 A, PDFN56 de 8 pines, Serie: TSM025, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio
    • Taiwan Semiconductor MOSFET TSM300NB06DCR, VDSS 60 V, ID 25 A, PDFN56 de 8 pines, Serie: TSM025, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio