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HI-GRIP Kit De Abrazaderas Accionado Por Tornillo Sin Fin De Acero Inoxidable, Ø Int. De 9.5 → 12mm A 35

About The 5 → 12mm a 35, Tipo de Pinza: Transmisión por Tonillo sin Fin, Número de Piezas: 76, Número de Tamaños: 10, Diámetro Interno de la Pinza más Grande: 35 → 50mm, Tipo de Acero Inoxidable: A2 304, Diámetro Interno Mínimo de la Pinza más Grande: 35mm, Diámetro Interno Mínimo de la Pinza más Pequeña: 9. de 9

HI-GRIP Kit de abrazaderas accionado por tornillo sin fin de Acero Inoxidable, Ø int. de 9.5 → 12mm a 35, Tipo de Pinza: Transmisión por Tonillo sin Fin, Número de Piezas: 76, Número de Tamaños: 10, Diámetro Interno de la Pinza más Grande: 35 → 50mm, Tipo de Acero Inoxidable: A2 304, Diámetro Interno Mínimo de la Pinza más Grande: 35mm, Diámetro Interno Mínimo de la Pinza más Pequeña: 9.5mm, MPN: HGSAB2

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HI-GRIP Kit De Abrazaderas Accionado Por Tornillo Sin Fin De Acero Inoxidable, Ø Int. De 9.5 → 12mm A 35

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Specifications of HI-GRIP Kit De Abrazaderas Accionado Por Tornillo Sin Fin De Acero Inoxidable, Ø Int. De 9.5 → 12mm A 35

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Panasonic AEC-Q200 Resistencia SMD, 91kΩ, ±1%, 0.1W, Película Gruesa, 0603 (1608M) 75V, Serie ERJ, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: ERJ3EKF9102V
    • Infineon Driver de puerta MOSFET IR2127STRPBF, 0,25 A, 0,5 A SOIC 8 pines, Tensión de Alimentación: 20V, Tiempo de Bajada: 65ns, Tiempo de Subida: 130ns, Topología: Lado alto, Retardo de tiempo: 250ns, Polaridad: No Inversión, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Altura: 1.5mm, Corriente de polarización de entrada: 15µA
    • SES Sterling Funda de cable Helavia de Neopreno Azul, long. 25mm, Ø 5mm, extensible
    • Infineon MOSFET SI4435DYTRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SO-8 de 8 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET SI4435DYTRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SO-8 de 8 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: Si4435DYPbF, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 35 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.Infineon MOSFET SI4435DYTRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SO-8 de 8 pines,, config.

    • Infineon MOSFET SI4435DYTRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SO-8 de 8 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET SI4435DYTRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SO-8 de 8 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET SI4435DYTRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SO-8 de 8 pines,, config. Simple, Serie: Si4435DYPbF, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 35 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.