Vishay Siliconix MOSFET SiDR392DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 De 8 Pines,, Config. Simple

DiodesZetex Diodo, SDM02U30LP3-7B, Rectificador Schottky, 100mA, 30V Schottky, X3-DFN0603, 2-Pines 370mV.

8A Idc.

25mm, Ø ext.

47mm, grosor 10mm, Tipo de Sellado: Sello de eje giratorio 24mm, Ø ext. 47mm, grosor 10mm. RS PRO Junta para eje giratorio de Caucho nitrilo, Ø int.

2A Idc.Wurth Elektronik AEC-Q200 Inductor de montaje en superficie bobinado Wurth, 2 μH 1212, 16.

2A Idc.Wurth Elektronik AEC-Q200 Inductor de montaje en superficie bobinado Wurth, 10 μH 1050, 7.

Vishay Siliconix MOSFET SiDR392DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config.1V.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +20 V, +6 V, Tensión de diodo directa: 1.

Broyce Control Transformador de corriente BZCT, Ø int. 35mm, Altura Total: 74mm, Anchura Total: 64mm, Profundidad Total: 40mm, Temperatura Mínima: -20°C, Temperatura Máxima: +60°C, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Para Uso con: Relés de fuga a tierra tipo A de Broyce, MPN: BZCT035.

2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +20 V, +6 V, Tensión de diodo directa: 1. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 900 μΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.Vishay Siliconix MOSFET SiDR392DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines,, config.1V.

Broyce Control Transformador de corriente BZCT, Ø int. 35mm, Altura Total: 74mm, Anchura Total: 64mm, Profundidad Total: 40mm, Temperatura Mínima: -20°C, Temperatura Máxima: +60°C, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Para Uso con: Relés de fuga a tierra tipo A de Broyce, MPN: BZCT035.