Onsemi MOSFET NTP095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 De 3 Pines

Name: Onsemi - Onsemi MOSFET NTP095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 De 3 Pines
Brand: onsemi
SKU: ABEA-138590
Price: 123.66 EUR
Availability: InStock

About The onsemi MOSFET NTP095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 de 3 pines

onsemi MOSFET NTP095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 de 3 pines

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Vishay Condensador de película, 22μF, ±5%, 450V dc, Montaje en orificio pasante, Capacitancia: 22µF, Serie: MKP1848 DC-Link, Paso del Pin: 37.5mm, Longitud: 43mm, Profundidad: 21.5mm, Altura: 38.5mm, Dimensiones: 43 x 21.5 x 38.5mm, Dieléctrico: Polipropileno, Diámetro del Pin: 1mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +85°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, MPN: MKP1848622454P4

onsemi MOSFET NTP125N65S3H, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-220 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,125 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

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Specifications of Onsemi MOSFET NTP095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 De 3 Pines
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Last Updated January 6th, 2025 05:43 am

Onsemi MOSFET NTP095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-220 De 3 Pines

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Wurth Elektronik Inductor de montaje superficial multicapa Wurth, 3,3 nH, núcleo de Cerámica 0603 (1608M), SRF:6GHz, Q:10, 600mA Idc,, Longitud: 1.6mm, Profundidad: 0.8mm, Dimensiones: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Máxima Resistencia DC: 150mΩ, Serie: WE-MK, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: 744786033A

Wurth Elektronik Inductor de montaje superficial multicapa Wurth, 3,3 nH, núcleo de Cerámica 0603 (1608M), SRF:6GHz, Q:10, 600mA Idc,.

Vista Cámara para interior, exterior con visión diurna y nocturna, Analógico/red: Analógico, Resolución Máxima: 1920 x 1080pixels, IR: Sí, Índice de protección IP: IP20, MPN: 0146410

Vista Cámara para interior, exterior con visión diurna y nocturna.

onsemi MOSFET NTP125N65S3H, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-220 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,125 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

onsemi MOSFET NTP125N65S3H, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-220 de 3 pines.