onsemi MOSFET NTHS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 6,7 A, ChipFET de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 52 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 2,5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Onsemi MOSFET NTHS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 6,7 A, ChipFET De 8 Pines,, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET NTHS4101PT1G, VDSS 20 V, ID 6,7 A, ChipFET De 8 Pines,, Config. Simple | |
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