onsemi MOSFET NTJD4152PT1G, VDSS 20 V, ID 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 350 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 2.2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Onsemi MOSFET NTJD4152PT1G, VDSS 20 V, ID 880 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado
Specifications of Onsemi MOSFET NTJD4152PT1G, VDSS 20 V, ID 880 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado | |
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