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Vishay MOSFET SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, PowerPAK 1212-8S De 8 Pines,, Config. Simple

About The Vishay MOSFET SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines,, config

Vishay MOSFET SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,01 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 65.8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +16 V, Longitud: 3.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Vishay MOSFET SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, PowerPAK 1212-8S De 8 Pines,, Config. Simple

NISSEI Condensador de poliéster PET, 1nF, ±5%, 50V dc, Montaje en orificio pasante, Serie: AMZ, Paso del Pin: 3.5mm, Longitud: 4.8mm, Profundidad: 2.5mm, Altura: 7mm, Dimensiones: 4.8 x 2.5 x 7mm, Factor de Disipación: 0.008%, Diámetro del Pin: 0.5mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +85°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, MPN: AMZ0050J10200000000
Vishay MOSFET SQJ208EP-T1_GE3, VDSS 40 V (Canal 1), 40 V (Canal 2), ID 20 A, 60 A, PowerPAK SO-8L doble de 6 pines,, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0067 (canal 2) Ω, 0,016 (canal 1) Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.3 (Channel 1) V, 2.4 (Channel 2) V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3 (Channel 1) V, 1.4 (Channel 2) V, Disipación de Potencia Máxima: 27 W, 48 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
More from Vishay? Simple, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,01 MΩ, Modo De Canal: Mejora, Tensión De Umbral De Puerta Máxima: 2.5V, Tensión De Umbral De Puerta Mínima: 1V, Disipación De Potencia Máxima: 65.8 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +16 V, Longitud: 3.3mm, Temperatura Máxima De Funcionamiento: +150 °C
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Yageo Resistencia SMD, 1.8kΩ, ±1%, 0.25 W, 0.125 W, Película Gruesa, 0805 (2012M), MPN: RC0805FR-071K8L

Yageo Resistencia SMD, 1.8kΩ, ±1%, 0.25 W, 0.125 W, Película Gruesa, 0805 (2012M), MPN: RC0805FR-071K8L

Yageo Resistencia SMD, 1.8kΩ, ±1%, 0.125 W, Película Gruesa, 0805 (2012M).25 W, 0.

    • Panasonic Condensador electrolítico serie FC Radial, 10μF, ±20%, 25V dc, Radial, Orificio pasante, 4 (Dia.) x 7mm, paso, Capacitancia: 10µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Diámetro: 4mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Paso del Pin: 1.5mm, Vida Útil: 1000h, Resistencia de Serie Equivalente: 2Ω, Corriente de Pérdida: 3 μA, Polarizado: Polar, Corriente de Rizado: 65mA, MPN: EEAFC1E100
    • TE Connectivity Resistencia, de 205kΩ ±0.1%, 0.25W, Serie R, Tecnología: Película de Metal, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, Coeficiente de Temperatura: ±15ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -65°C, MPN: YR1B205KCC
    • Vishay MOSFET SUM60020E-GE3, VDSS 80 V, ID 150 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SUM60020E-GE3, VDSS 80 V, ID 150 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 375 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 10.

    • Vishay MOSFET SUM60020E-GE3, VDSS 80 V, ID 150 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SUM60020E-GE3, VDSS 80 V, ID 150 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SUM60020E-GE3, VDSS 80 V, ID 150 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.