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Onsemi Diodo De Protección ESD Unidireccional, SMS12CT1G, 350W, TSOP, 6-Pines

About The 1 x 3 x 1mm, MPN: SMS12CT1G.onsemi Diodo de protección ESD Unidireccional, 350W, TSOP, 6-Pines, Configuración de diodo: Array, Tensión Residual Máxima: 23V, Tensión Mínima de Ruptura: 13

onsemi Diodo de protección ESD Unidireccional, 350W, TSOP, 6-Pines, Configuración de diodo: Array, Tensión Residual Máxima: 23V, Tensión Mínima de Ruptura: 13.3V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 15A, Protección ESD: Sí, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Capacidad: 150pF, Dimensiones: 3.1 x 3 x 1mm, MPN: SMS12CT1G

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Diodos TVS

Onsemi Diodo De Protección ESD Unidireccional, SMS12CT1G, 350W, TSOP, 6-Pines

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Specifications of Onsemi Diodo De Protección ESD Unidireccional, SMS12CT1G, 350W, TSOP, 6-Pines

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Muck Boot Chore Classic Hi Black Size 11, MPN: CHH-000A

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Muck Boot Chore Classic Hi Black Size 11.

    • RS PRO Controlador de temperatura PID, 72 x 72mm, 230 V ac, 1 entrada Termopar tipo J, 2 salidas Relé, SSR, Temperatura de Funcionamiento Mínima: 0°C, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +50°C, Rango de Temperatura: 0→ 50 °C, 0→ 800 °C., Tipo de Display: 5 dígitos, Índice de Protección IP: IP20, IP65
    • Vishay MOSFET SQJA42EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SQJA42EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines,, config. Simple

    3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.3V, Disipación de Potencia Máxima: 27 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Estándar de automoción: AEC-Q101. Simple, Tipo de Encapsulado: PowerPak SO-L, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.Vishay MOSFET SQJA42EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, PowerPAK SO-8L de 8 pines,, config.

    • Vishay MOSFET SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.1 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.1 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 52 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.1 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.

    • Vishay MOSFET SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.1 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.1 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines,, config. Simple

    1 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.Vishay MOSFET SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.