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TE Connectivity Relé De Potencia Sin Enclavamiento PCN De 1 Polo, SPST, Bobina 12V Dc, 3A, Montaje En PCB

About The TE Connectivity Relé de potencia sin enclavamiento PCN de 1 polo, SPST, bobina 12V dc, 3A, Montaje en PCB, Enclavamiento: No, Tipo de Terminal: Montaje en orificio pasante, Longitud: 20mm, Resistencia de la Bobina: 1.000 ciclos (eléctrico), MPN: PCN-112D3MHZ

TE Connectivity Relé de potencia sin enclavamiento PCN de 1 polo, SPST, bobina 12V dc, 3A, Montaje en PCB, Enclavamiento: No, Tipo de Terminal: Montaje en orificio pasante, Longitud: 20mm, Resistencia de la Bobina: 1.200Ω, Potencia de la Bobina: 120mW, Material de los Contactos: Aleación Níquel Plata, Profundidad: 5mm, Altura: 12.5mm, Aislamiento de Bobina a Contacto: 3kVrms, Vida Útil: 20.000.000 ciclos (eléctrico), MPN: PCN-112D3MHZ

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TE Connectivity Relé De Potencia Sin Enclavamiento PCN De 1 Polo, SPST, Bobina 12V Dc, 3A, Montaje En PCB

TE Connectivity Relé de potencia sin enclavamiento PCN de 1 polo, SPST, bobina 5V dc, 3A, Montaje en PCB, Enclavamiento: No, Tipo de Terminal: Montaje en orificio pasante, Longitud: 20mm, Resistencia de la Bobina: 208Ω, Material de los Contactos: Aleación Níquel Plata, Profundidad: 5mm, Altura: 12.5mm, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +70°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -30°C, MPN: PCN-105D3MHZ
TE Connectivity Relé de potencia sin enclavamiento PT de 2 polos, DPDT, bobina 230V ac, 12A, Carril DIN, Enclavamiento: No, Tipo de Terminal: Roscado, Longitud: 73.5mm, Resistencia de la Bobina: 19465Ω, Potencia de la Bobina: 1W, Material de los Contactos: Aleación Níquel Plata, Profundidad: 27mm, Altura: 58mm, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +70°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40°C, MPN: PT2S7TD0 6-1415074-1
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STMicroelectronics MOSFET STP10NK80Z, VDSS 800 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

STMicroelectronics MOSFET STP10NK80Z, VDSS 800 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

STMicroelectronics MOSFET STP10NK80Z, VDSS 800 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 900 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.15mm.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 160000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 9.

    • STMicroelectronics MOSFET STP10NK80ZFP, VDSS 800 V, ID 9 A, TO-220FP de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STP10NK80ZFP, VDSS 800 V, ID 9 A, TO-220FP de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 900 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3mm.STMicroelectronics MOSFET STP10NK80ZFP, VDSS 800 V, ID 9 A, TO-220FP de 3 pines,, config.

    • STMicroelectronics MOSFET STW4N150, VDSS 1500 V, ID 4 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STW4N150, VDSS 1500 V, ID 4 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    15mm. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 160000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.

    • STMicroelectronics MOSFET STW13NK100Z, VDSS 1000 V, ID 13 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STW13NK100Z, VDSS 1000 V, ID 13 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STW13NK100Z, VDSS 1000 V, ID 13 A, TO-247 de 3 pines,, config.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 350000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.15mm.

    • STMicroelectronics MOSFET STW13NK100Z, VDSS 1000 V, ID 13 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET STW13NK100Z, VDSS 1000 V, ID 13 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 350000 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Altura: 20.