STMicroelectronics MOSFET STH3N150-2, VDSS 1.500 V, ID 2,5 A, H2PAK-2 de 3 pines,, config. Simple, Serie: MDmesh, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 140 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.4mm
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STMicroelectronics MOSFET STH3N150-2, VDSS 1.500 V, ID 2,5 A, H2PAK-2 De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of STMicroelectronics MOSFET STH3N150-2, VDSS 1.500 V, ID 2,5 A, H2PAK-2 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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