Infineon MOSFET IPB600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 60 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 136 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.31mm
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Infineon MOSFET IPB600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET IPB600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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