Infineon MOSFET ISC010N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, SuperSO8 5 X 6 De 8 Pines

Name: Infineon MOSFET ISC010N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, SuperSO8 5 X 6 De 8 Pines, Serie: OptiMOS™ 6, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Tensión De Umbral De Puerta Máxima: 2.8V | Infineon
Brand: Infineon
SKU: ABEA-152689
Price: 4029.30 EUR
Availability: InStock

About The Infineon MOSFET ISC010N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines, Serie: OptiMOS™ 6, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.8V

Infineon MOSFET ISC010N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines, Serie: OptiMOS™ 6, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.8V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPP129N10NF2SAKMA1, VDSS 100 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines

Infineon Regulador de tensión TLS850C2TEV50ATMA1, Caída baja, 500mA PG-TO252-5, 5 pines, Precisión: ±2%, Tipo de Salida: Fijo

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Specifications of Infineon MOSFET ISC010N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, SuperSO8 5 X 6 De 8 Pines
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Last Updated December 16th, 2024 10:25 pm

Infineon MOSFET ISC010N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, SuperSO8 5 X 6 De 8 Pines

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Infineon IGBT, N-Canal, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 333 W, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Energía nominal: 2.55mJ, Capacitancia de puerta: 2960pF, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: IKW50N60H3FKSA1

Infineon IGBT, IKW50N60H3FKSA1, N-Canal, 100 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple.

Crucial Memoria RAM 4 GB No Ordenador portátil, 1600MHZ, Clase de memoria: DDR3, Ranura de memoria: SODIMM, Tensión: 1.35, 1.5V, MPN: CT51264BF160BJ

Crucial Memoria RAM 4 GB No Ordenador portátil, 1600MHZ.

Crucial Memoria RAM 2 GB No Ordenador portátil, 1600MHZ, Clase de memoria: DDR3, Ranura de memoria: SODIMM, Tensión: 1.35, 1.5V, MPN: CT25664BF160B

Crucial Memoria RAM 2 GB No Ordenador portátil, 1600MHZ.

Infineon Módulo IGBTBOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 210 W, Configuración: Puente trifásico, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, Dimensiones: 122 x 62 x 17mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: FP40R12KE3G

Infineon Módulo IGBT, FP40R12KE3GBOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico.

Infineon Módulo IGBT, FF150R12KE3GB2HOSA1, N-Canal, 225 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 780 W, Tipo de Montaje: Montaje en panel, Dimensiones: 106.4 x 61.4 x 29mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: FF150R12KE3G_B2

Infineon Módulo IGBT, FF150R12KE3GB2HOSA1, N-Canal, 225 A, 1.

Infineon Regulador de tensión TLS850C2TEV50ATMA1, Caída baja, 500mA PG-TO252-5, 5 pines, Precisión: ±2%, Tipo de Salida: Fijo

Infineon Regulador de tensión TLS850C2TEV50ATMA1, Caída baja, 500mA PG-TO252-5, 5 pines.