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RS PRO Resistencia Radial, De 1GΩ 5%, 3W

About The RS PRO Resistencia Radial, de 1GΩ 5%, 3W, Tecnología: Película Gruesa, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +180°C, Paso del Pin: 35.56plg, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C

RS PRO Resistencia Radial, de 1GΩ 5%, 3W, Tecnología: Película Gruesa, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +180°C, Paso del Pin: 35.56plg, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Componentes Pasivos > Resistencias > Resistencias de Montaje en Orificio Pasante

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Specifications of RS PRO Resistencia Radial, De 1GΩ 5%, 3W

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RS PRO Resistencia Radial, De 1GΩ 5%, 3W
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Rating :- 8.1 /10
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FTDI Chip UART FT230XQ-R, 1 canales, RS232, RS422, RS485, SIE, UART, 3MBd, QFN, 16 pines, Transmisión FIFO: 512B, Contador FIFO de Transmisor y Receptor: Sí, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Típica: 5 V, Dimensiones: 4 x 4 x 0.75mm, Longitud: 4mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C
    • Infineon MOSFET IRL1004PBF, VDSS 40 V, ID 130 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IRL1004PBF, VDSS 40 V, ID 130 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 200 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Altura: 8.

    • RS PRO Resistencia de montaje en panel, 560Ω ±5% 25W, Aluminium Housed, Aluminio, Encapsulado: Carcasa de aluminio, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +200°C, Dimensiones: 27.3 x 28 x 14.8mm, Longitud total: 27.3mm, Anchura total: 28mm
    • Vishay MOSFET IRFB11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET IRFB11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 520 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 170 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.41mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.Vishay MOSFET IRFB11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, TO-220AB de 3 pines,, config.

    • Vishay MOSFET IRFB11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET IRFB11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, TO-220AB de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET IRFB11N50APBF, VDSS 500 V, ID 11 A, TO-220AB de 3 pines,, config.41mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.