Infineon Transistor bipolar de RF, NPN 35 mA 2,25 V TSFP, 4 pines, 85 GHz, Simple, Tensión Máxima Colector-Emisor: 2 V, 2,25 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 75 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 150, Tensión Base Máxima del Colector: 2,6 V, 2,9 V, Estándar de automoción: AEC-Q101, Dimensiones: 1.4 x 0.8 x 0.55mm, MPN: BFP840FESDH6327XTSA1
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Infineon Transistor Bipolar De RF, BFP840FESDH6327XTSA1, NPN 35 MA 2,25 V TSFP, 4 Pines, 85 GHz, Simple
Specifications of Infineon Transistor Bipolar De RF, BFP840FESDH6327XTSA1, NPN 35 MA 2,25 V TSFP, 4 Pines, 85 GHz, Simple | |
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