Infineon Transistor bipolar de RF, NPN 40 mA 3,25 V SOT-343, 4 pines, 60 GHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 120 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 3,5 V, 4,1 V, Dimensiones: 2 x 1.25 x 0.8mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFP842ESDH6327XTSA1
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Infineon Transistor Bipolar De RF, BFP842ESDH6327XTSA1, NPN 40 MA 3,25 V SOT-343, 4 Pines, 60 GHz, Simple
Specifications of Infineon Transistor Bipolar De RF, BFP842ESDH6327XTSA1, NPN 40 MA 3,25 V SOT-343, 4 Pines, 60 GHz, Simple | |
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