Infineon MOSFET IPD35N10S3L26ATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines
About The 4V.026 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2
Infineon MOSFET IPD35N10S3L26ATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Serie: OptiMOS™-T, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.026 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.4V
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Infineon MOSFET IPD35N10S3L26ATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines
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Specifications of Infineon MOSFET IPD35N10S3L26ATMA1, VDSS 100 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines | |
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