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Molex Conector De Válvula DIN 43650 B 121202, 2P+E, 250 V Ac, 300 V Dc, 16A, IP65, IP67

About The Molex Conector de válvula DIN 43650 B 121202, 2P+E, 250 V ac, 300 V dc, 16A, IP65, IP67, Color: Negro, Método de Terminación: Tornillo, MPN: C22200N0R

Molex Conector de válvula DIN 43650 B 121202, 2P+E, 250 V ac, 300 V dc, 16A, IP65, IP67, Color: Negro, Método de Terminación: Tornillo, MPN: C22200N0R

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Conectores > Conectores de Potencia > Conectores de Solenoide DIN 43650

Molex Conector De Válvula DIN 43650 B 121202, 2P+E, 250 V Ac, 300 V Dc, 16A, IP65, IP67

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Specifications of Molex Conector De Válvula DIN 43650 B 121202, 2P+E, 250 V Ac, 300 V Dc, 16A, IP65, IP67

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Molex Conector De Válvula DIN 43650 B 121202, 2P+E, 250 V Ac, 300 V Dc, 16A, IP65, IP67
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Schneider Electric Estación de control con botón pulsador IP65 XAWF 2 aberturas Verde, Material de Botón Pulsador: Metal, Color de carcasa: Negro, Configuración del Contacto: 1 NA, Anchura: 80mm, Profundidad: 77mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +60°C, Temperatura Mínima de Funcionamiento: -20°C, MPN: XAWF100EX
    • Infineon MOSFET IPP100N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IPP100N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 100 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.

    • Infineon MOSFET IPI086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IPI086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines,, config. Simple

    36mm.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10. Simple, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.

    • Vishay MOSFET SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.168 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3 → 5V
    • Vishay MOSFET SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.168 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3 → 5V