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Vishay MOSFET SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines

About The 168 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3 → 5V.Vishay MOSFET SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0

Vishay MOSFET SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.168 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3 → 5V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Vishay MOSFET SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines

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Specifications of Vishay MOSFET SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines

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Vishay MOSFET SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines
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Socomec Interruptor seccionador, 3P, Corriente 32A, Potencia 13kW, IP65, Tipo de Montaje: Montaje en pared, MPN: 21153303
    • Socomec Interruptor seccionador, 4P, Corriente 125A, IP41, Tipo de Montaje: Montaje en pared, MPN: 17864012
    • Socomec Cubierta, para Interruptores de conmutación cerrados SIRCOVER, IP65 ATYS SIRCOVER, Tipo de Accesorio: Pantalla protectora, MPN: 15093080
    • Schneider Electric Estación de control con botón pulsador IP65 XAWF 2 aberturas Verde, Material de Botón Pulsador: Metal, Color de carcasa: Negro, Configuración del Contacto: 1 NA, Anchura: 80mm, Profundidad: 77mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +60°C, Temperatura Mínima de Funcionamiento: -20°C, MPN: XAWF100EX
    • Infineon MOSFET IPP100N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IPP100N08N3GXKSA1, VDSS 80 V, ID 70 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 18,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 100 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.36mm.

    • Infineon MOSFET IPI086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET IPI086N10N3GXKSA1, VDSS 100 V, ID 80 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: OptiMOS™ 3, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 15,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.

    • Vishay MOSFET SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.168 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3 → 5V
    • RS PRO Cable de conexión, área transversal 1,5 mm² Filamentos del Núcleo 7/0.53 mm Marrón, 450/750 V, long. 100m,
    • Vishay MOSFET SiHB186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 8,4 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.168 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 3 → 5V
    • RS PRO Cable de conexión, área transversal 1,5 mm² Filamentos del Núcleo 7/0.53 mm Marrón, 450/750 V, long. 100m,

    RS PRO Cable de conexión, área transversal 1,5 mm² Filamentos del Núcleo 7/0.53 mm Marrón, 450/750 V, long. 100m,

    95mm, Сертификация CPR: Eca, Máxima Temperatura de funcionamiento: +70°C, Material Conductor: Cobre, Cumple con los Estándares: Clase Eca, Comportamiento del fuego: Pirorretardante.RS PRO Cable de conexión, área transversal 1,5 mm² Filamentos del Núcleo 7/0.53 mm Marrón, 450/750 V, long. 100m,, American Wire Gauge (AWG): 16 AWG², Forma del Cable: Redondo, Código armonizado europeo: H07Z-R, Material de Aislamiento: Poliolefina reticulada EI5, tipo EI 5 de conformidad con EN 50363-5, Diámetro Externo: 2.