Infineon MOSFET IRFU5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, IPAK (TO-251) De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 65 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.6mm
Infineon MOSFET IRFU5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, IPAK (TO-251) de 3 pines,, config. Simple, Serie: HEXFET, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 65 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.6mm
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
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Specifications of Infineon MOSFET IRFU5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, IPAK (TO-251) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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