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Vishay MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

About The Vishay MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 58 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0

Vishay MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 58 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.6V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

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Vishay MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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Specifications of Vishay MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 4 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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