Onsemi Transistor, MMBT3906WT1G, PNP -200 MA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 Pines, 100 MHz, Simple

Name: Onsemi Transistor, MMBT3906WT1G, PNP -200 MA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 Pines, 100 MHz, Simple? Onsemi
Brand: onsemi
SKU: ABEA-176170
Price: 39.93 EUR
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onsemi Transistor, PNP -200 mA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 30, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: MMBT3906WT1G

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Transistores Bipolares

KYOCERA AVX AEC-Q200 Condensador de tántalo TAJD106K050RNJ, 10μF, ±10%, 50V dc, Montaje en Superficie, Encapsulado, Tecnología: Electrolítico, Capacitancia: 10µF, Encapsulado: 7343-31, Resistencia de Serie Equivalente: 800mΩ, Longitud: 7.3mm, Profundidad: 4.3mm, Altura: 2.9mm, Dimensiones: 7.3 x 4.3 x 2.9mm, Tipo de Electrolito: Sólido, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C

onsemi Transistor, NPN 50 mA 30 V SOT-23, 3 pines, 20 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 300 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 4,5 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MMBT5088LT1G

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Specifications of Onsemi Transistor, MMBT3906WT1G, PNP -200 MA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 Pines, 100 MHz, Simple
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Last Updated February 7th, 2025 05:29 pm

Onsemi Transistor, MMBT3906WT1G, PNP -200 MA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 Pines, 100 MHz, Simple

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onsemi 2.84 x 1.8 x 1.35mm Simple MMSZ4680T1G +150 °C 500 mW 4μA -55 °C Montaje superficial 2.2V 1 -55 → +150 °C, Tipo de Encapsulado: SOD-123, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 0.05mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 4µA

84 x 1.onsemi 2.2V 1 -55 → +150 °C.35mm Simple MMSZ4680T1G +150 °C 500 mW 4μA -55 °C Montaje superficial 2.

onsemi Diodo, Pequeña señal, 200mA, 250V Conexión de silicio, 50ns, SOD-123, 2-Pines 1.25V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Diodo: Rectificador, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 625mA, MPN: MMSD103T1G

onsemi Diodo, MMSD103T1G, Pequeña señal, 200mA, 250V Conexión de silicio, 50ns, SOD-123, 2-Pines 1.25V.

onsemi Interruptor de potencia inteligente de lado alto NCV84140DR2G, 2 canales, High Side MOSFET Switch 28V 12A 1.17W SOIC-8, Resistencia de Encendido: 140mΩ, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 28 V

onsemi Interruptor de potencia inteligente de lado alto NCV84140DR2G, 2 canales, High Side MOSFET Switch 28V 12A 1.17W SOIC-8.

KEMET Condensador de película, 12.5μF, ±5%, 470V ac, Capacitancia: 12.5µF, Serie: C27, Distrelec Product Id: 30151644

KEMET Condensador de película, 12.

onsemi Transistor, NPN 200 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 225 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 500, Tensión Base Máxima del Colector: 55 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MMBT6429LT1G

onsemi Transistor, MMBT6429LT1G, NPN 200 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple.

onsemi Transistor, NPN 50 mA 30 V SOT-23, 3 pines, 20 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 300 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 4,5 V, Número de Elementos por Chip: 1, Dimensiones: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MMBT5088LT1G

onsemi Transistor, MMBT5088LT1G, NPN 50 mA 30 V SOT-23, 3 pines, 20 MHz, Simple.

onsemi Transistor, PNP -200 mA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 30, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: MMBT3906WT1G

onsemi Transistor, MMBT3906WT1G, PNP -200 mA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 100 MHz, Simple.

KYOCERA AVX AEC-Q200 Condensador de tántalo TAJD106K050RNJ, 10μF, ±10%, 50V dc, Montaje en Superficie, Encapsulado, Tecnología: Electrolítico, Capacitancia: 10µF, Encapsulado: 7343-31, Resistencia de Serie Equivalente: 800mΩ, Longitud: 7.3mm, Profundidad: 4.3mm, Altura: 2.9mm, Dimensiones: 7.3 x 4.3 x 2.9mm, Tipo de Electrolito: Sólido, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C

KYOCERA AVX AEC-Q200 Condensador de tántalo TAJD106K050RNJ, 10μF, ±10%, 50V dc, Montaje en Superficie, Encapsulado.

onsemi Transistor, PNP -200 mA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 30, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: MMBT3906WT1G

onsemi Transistor, MMBT3906WT1G, PNP -200 mA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 100 MHz, Simple.

KYOCERA AVX AEC-Q200 Condensador de tántalo TAJD106K050RNJ, 10μF, ±10%, 50V dc, Montaje en Superficie, Encapsulado, Tecnología: Electrolítico, Capacitancia: 10µF, Encapsulado: 7343-31, Resistencia de Serie Equivalente: 800mΩ, Longitud: 7.3mm, Profundidad: 4.3mm, Altura: 2.9mm, Dimensiones: 7.3 x 4.3 x 2.9mm, Tipo de Electrolito: Sólido, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C

KYOCERA AVX AEC-Q200 Condensador de tántalo TAJD106K050RNJ, 10μF, ±10%, 50V dc, Montaje en Superficie, Encapsulado.

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Specifications of Onsemi Transistor, MMBT3906WT1G, PNP -200 MA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 Pines, 100 MHz, Simple

onsemi 2.84 x 1.8 x 1.35mm Simple MMSZ4680T1G +150 °C 500 mW 4μA -55 °C Montaje superficial 2.2V 1 -55 → +150 °C, Tipo de Encapsulado: SOD-123, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 0.05mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 4µA

onsemi Diodo, Pequeña señal, 200mA, 250V Conexión de silicio, 50ns, SOD-123, 2-Pines 1.25V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Diodo: Rectificador, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 625mA, MPN: MMSD103T1G

onsemi Interruptor de potencia inteligente de lado alto NCV84140DR2G, 2 canales, High Side MOSFET Switch 28V 12A 1.17W SOIC-8, Resistencia de Encendido: 140mΩ, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 28 V

KEMET Condensador de película, 12.5μF, ±5%, 470V ac, Capacitancia: 12.5µF, Serie: C27, Distrelec Product Id: 30151644

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onsemi Transistor, PNP -200 mA -40 V SOT-323 (SC-70), 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 150 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 30, Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V, Dimensiones: 2.2 x 1.35 x 1mm, MPN: MMBT3906WT1G