KEMET Condensador De Película, 12.5μF, ±5%, 470V Ac

Name: KEMET Condensador De Película, 12.5μF, ±5%, 470V Ac? KEMET
Brand: KEMET
SKU: ABEA-176173
Price: 6.23 EUR
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About The 5μF, ±5%, 470V ac, Capacitancia: 12.KEMET Condensador de película, 12

KEMET Condensador de película, 12.5μF, ±5%, 470V ac, Capacitancia: 12.5µF, Serie: C27, Distrelec Product Id: 30151644

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onsemi Transistor, NPN 200 mA 45 V SOT-23, 3 pines, 100 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 225 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 500, Tensión Base Máxima del Colector: 55 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V, Dimensiones: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: MMBT6429LT1G

onsemi Interruptor de potencia inteligente de lado alto NCV84140DR2G, 2 canales, High Side MOSFET Switch 28V 12A 1.17W SOIC-8, Resistencia de Encendido: 140mΩ, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 28 V

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Specifications of KEMET Condensador De Película, 12.5μF, ±5%, 470V Ac
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Last Updated January 10th, 2025 11:43 pm

KEMET Condensador De Película, 12.5μF, ±5%, 470V Ac

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Vishay Condensador electrolítico serie 101 PHR-ST, 33000μF, ±20%, 63V dc, mont. roscado, 50 (Dia.) x 105mm

Vishay Condensador electrolítico serie 101 PHR-ST, 33000μF, ±20%, 63V dc, mont. roscado, 50 (Dia.9A, MPN: MAL210118333E3.) x 105mm, Capacitancia: 33000µF, Tipo de Montaje: Terminal Roscado, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Diámetro: 50mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +85°C, Vida Útil: 10000h, Resistencia de Serie Equivalente: 14mΩ, Corriente de Pérdida: 4160 μA, Corriente de Rizado: 12.

3M Papelera de seguridad ESD, Conductivo, disipativo, apantallamiento estático, Resina, 254 x 203 x 51mm, Longitud: 254mm, Profundidad: 203mm, MPN: 8523

3M Papelera de seguridad ESD, Conductivo, disipativo, apantallamiento estático, Resina, 254 x 203 x 51mm.

Wurth Elektronik Inductor de montaje en superficie bobinado Wurth, 3,3 μH, ±20%, núcleo de WE-Superflux, apantallado 7.040, SRF:43MHZ,, Máxima Corriente DC: 6.5A, Longitud: 7mm, Profundidad: 6.9mm, Altura: 3.8mm, Dimensiones: 7 x 6.9 x 3.8mm, Apantallado: Sí, Máxima Resistencia DC: 17.2mΩ, Serie: WE-HCI, Construcción del inductor: Bobinado de cable plano, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +150°C, MPN: 744311330

040, SRF:43MHZ,.Wurth Elektronik Inductor de montaje en superficie bobinado Wurth, 3,3 μH, ±20%, núcleo de WE-Superflux, apantallado 7.

onsemi Transistor, NPN 100 mA 30 V TO-92, 3 pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 500 mW, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 4.58 x 3.86 x 4.58mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 600 mV, MPN: BC548CTA

onsemi Transistor, BC548CTA, NPN 100 mA 30 V TO-92, 3 pines, 1 MHz, Simple.

onsemi 2.84 x 1.8 x 1.35mm Simple MMSZ4680T1G +150 °C 500 mW 4μA -55 °C Montaje superficial 2.2V 1 -55 → +150 °C, Tipo de Encapsulado: SOD-123, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 0.05mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 4µA

2V 1 -55 → +150 °C.8 x 1.

onsemi Diodo, Pequeña señal, 200mA, 250V Conexión de silicio, 50ns, SOD-123, 2-Pines 1.25V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Diodo: Rectificador, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 625mA, MPN: MMSD103T1G

25V.onsemi Diodo, MMSD103T1G, Pequeña señal, 200mA, 250V Conexión de silicio, 50ns, SOD-123, 2-Pines 1.

onsemi Interruptor de potencia inteligente de lado alto NCV84140DR2G, 2 canales, High Side MOSFET Switch 28V 12A 1.17W SOIC-8, Resistencia de Encendido: 140mΩ, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 28 V

onsemi Interruptor de potencia inteligente de lado alto NCV84140DR2G, 2 canales, High Side MOSFET Switch 28V 12A 1.17W SOIC-8.