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Cree LED LED XLamp XP-E, Verde, 535 Nm, Vf= 2,6 V, 114 Lm, 130°, Mont. Superficial, Encapsulado 3535

About The Cree LED LED XLamp XP-E, Verde, 535 nm, Vf= 2,6 V, 114 lm, 130°, mont. superficial, encapsulado 3535, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Flujo radiante: 3

Cree LED LED XLamp XP-E, Verde, 535 nm, Vf= 2,6 V, 114 lm, 130°, mont. superficial, encapsulado 3535, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Flujo radiante: 3.500mW, Forma de la Lente: Cuadrado, Color de la Lente: Transparente, MPN: XPEBGR-L1-0000-00E01

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Displays y Optoelectrónica > LED - Diodos Emisores de Luz > LEDs

Cree LED LED XLamp XP-E, Verde, 535 Nm, Vf= 2,6 V, 114 Lm, 130°, Mont. Superficial, Encapsulado 3535

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Specifications of Cree LED LED XLamp XP-E, Verde, 535 Nm, Vf= 2,6 V, 114 Lm, 130°, Mont. Superficial, Encapsulado 3535

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RS PRO Resistencia, de 470Ω ±5%, 2W, Tecnología: Película de Carbono, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, Coeficiente de Temperatura: -500 → +350ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C
    • RS PRO Resistencia, de 270Ω ±5%, 2W, Tecnología: Película de Carbono, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, Coeficiente de Temperatura: -500 → +350ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C
    • onsemi 4.6 x 3.95 x 2.28mm Simple 1SMB5955BT3G +150 °C 3 W 1μA 900Ω -65 °C Montaje superficial 180V 1 -65 → +150, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: 5%, Corriente de Prueba: 2.1mA, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 1µA
    • onsemi MOSFET NVTFS5811NLTG, VDSS 40 V, ID 40 A, WDFN de 8 pines, config. Simple

    onsemi MOSFET NVTFS5811NLTG, VDSS 40 V, ID 40 A, WDFN de 8 pines, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.onsemi MOSFET NVTFS5811NLTG, VDSS 40 V, ID 40 A, WDFN de 8 pines, config.15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVTFS5811NLTWG.2V, Disipación de Potencia Máxima: 21 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.

    • onsemi MOSFET NVTFS5811NLTG, VDSS 40 V, ID 40 A, WDFN de 8 pines, config. Simple

    onsemi MOSFET NVTFS5811NLTG, VDSS 40 V, ID 40 A, WDFN de 8 pines, config. Simple

    15mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: NVTFS5811NLTWG. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.onsemi MOSFET NVTFS5811NLTG, VDSS 40 V, ID 40 A, WDFN de 8 pines, config.2V, Disipación de Potencia Máxima: 21 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.