onsemi MOSFET RFD12N06RLESM9A, VDSS 60 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 75 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 49 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Altura: 2.39mm, Longitud: 6.73mm
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Onsemi MOSFET RFD12N06RLESM9A, VDSS 60 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET RFD12N06RLESM9A, VDSS 60 V, ID 18 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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