Infineon MOSFET IPD60R1K0CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 6,8 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 61 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Tensión de diodo directa: 0.9V, Altura: 2.41mm
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Infineon MOSFET IPD60R1K0CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 6,8 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines
Specifications of Infineon MOSFET IPD60R1K0CEAUMA1, VDSS 650 V, ID 6,8 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |