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Vishay Fotodiodo De Silicio, IR, λ Sensibilidad Máx. 950nm, Mont. Superficial, Encapsulado Ala Inversa De 2 Pines

About The Vishay Fotodiodo de silicio, IR, λ sensibilidad máx.4mm, Anchura: 3

950nm, mont. Vishay Fotodiodo de silicio, IR, λ sensibilidad máx. superficial, encapsulado Ala Inversa de 2 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Mínima Longitud de Onda Detectada: 780nm, Máxima Longitud de Onda Detectada: 1050nm, Longitud: 4.4mm, Anchura: 3.9mm, Altura: 1.2mm, MPN: VBPW34FASR

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Vishay Fotodiodo De Silicio, IR, λ Sensibilidad Máx. 950nm, Mont. Superficial, Encapsulado Ala Inversa De 2 Pines

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Specifications of Vishay Fotodiodo De Silicio, IR, λ Sensibilidad Máx. 950nm, Mont. Superficial, Encapsulado Ala Inversa De 2 Pines

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