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Vishay MOSFET SIHG20N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 19 A, TO-247AC De 3 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Serie: E Series, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 180 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 179 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 15.87mm

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Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

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Specifications of Vishay MOSFET SIHG20N50E-GE3, VDSS 500 V, ID 19 A, TO-247AC De 3 Pines,, Config. Simple

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