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Infineon Módulo IGBT, FS75R12KT3GBOSA1, 100 A, 1200 V, Módulo

About The Infineon Módulo IGBT, 100 A, 1200 V, Módulo, Tensión Máxima Puerta-Emisor: +/-20V, Disipación de Potencia Máxima: 355 W, Tipo de Montaje: Montaje en panel, MPN: FS75R12KT3GBOSA1

Infineon Módulo IGBT, 100 A, 1200 V, Módulo, Tensión Máxima Puerta-Emisor: +/-20V, Disipación de Potencia Máxima: 355 W, Tipo de Montaje: Montaje en panel, MPN: FS75R12KT3GBOSA1

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > IGBT

Infineon Módulo IGBT, FS75R12KT3GBOSA1, 100 A, 1200 V, Módulo

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Specifications of Infineon Módulo IGBT, FS75R12KT3GBOSA1, 100 A, 1200 V, Módulo

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Infineon Módulo IGBT, FS75R12KT3GBOSA1, 100 A, 1200 V, Módulo
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Microchip Memoria EEPROM serie 93C66A-I/P, 4kbit, 512 x, 8bit, Serie 3 Cables, 250ns, 8 pines DFN/TDFN, MSOP, PDIP,, Tipo de Encapsulado: DFN/TDFN, MSOP, PDIP, SOIC, SOT-23, TSSOP, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: 200ns
    • Syfer Technology Condensador cerámico multicapa MLCC,, 2.2nF, ±10%, 1kV dc, Montaje en Superficie, X7R dieléctrico, Paquete/Carcasa: 1206 (3216M), Dimensiones: 3.2 x 1.6 x 1.6mm, Longitud: 3.2mm, Serie: Flexicap, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Tipo terminal: Montaje superficial, MPN: 1206Y1K00222KXT
    • FCT from Molex Conector D-sub, Serie F, paso 1.27mm, Recto, Montaje de Cable, Hembra, Terminación IDC, 1.5A, Número de Contactos: 9, Material de la Carcasa: Acero, Longitud: 30.8mm, Anchura: 12.5mm, Profundidad: 15.5mm, Material del Contacto: Aleación de Cobre, Revestimiento del Contacto: Oro sobre Níquel, Dimensiones: 30.8 x 12.5 x 15.5mm, MPN: F09S15-K49 / 1727040076
    • Microchip Memoria EEPROM serie 25LC640-I/P, 64kbit, 8k x, 8bit, Serie SPI, 230ns, 8 pines PDIP, SOIC Y TSSOP, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante

    Microchip Memoria EEPROM serie 25LC640-I/P, 64kbit, 8k x, 8bit, Serie SPI, 230ns, 8 pines PDIP, SOIC Y TSSOP, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante

    Microchip Memoria EEPROM serie 25LC640-I/P, 64kbit, 8k x, 8bit, Serie SPI, 230ns, 8 pines PDIP, SOIC Y TSSOP.

    • KEMET Condensador cerámico multicapa MLCC,, 4.7μF, ±20%, 6.3V dc, Montaje en Superficie, X7R dieléctrico, Capacitancia: 4.7µF, Paquete/Carcasa: 0805 (2012M), Dimensiones: 2 x 1.25 x 1.25mm, Longitud: 2mm, Serie: X FT-CAP, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, MPN: C0805X475M9RAC7800
    • Infineon Módulo IGBT, 107 A, 1200 V, Módulo, Tensión Máxima Puerta-Emisor: +/-20V, Disipación de Potencia Máxima: 375 W, Tipo de Montaje: Montaje en panel, MPN: FS75R12W2T4BOMA1
    • Infineon Módulo IGBT, 100 A, 1200 V, Módulo, Tensión Máxima Puerta-Emisor: +/-20V, Disipación de Potencia Máxima: 355 W, Tipo de Montaje: Montaje en panel, MPN: FS75R12KT3GBOSA1
    • Infineon Módulo IGBT, 27 A, 600 V, Módulo, Tensión Máxima Puerta-Emisor: +/-20V, Disipación de Potencia Máxima: 94 W, Tipo de Montaje: Montaje en panel, MPN: FP20R06W1E3BOMA1
    • Infineon Módulo IGBT, 100 A, 1200 V, Módulo, Tensión Máxima Puerta-Emisor: +/-20V, Disipación de Potencia Máxima: 355 W, Tipo de Montaje: Montaje en panel, MPN: FS75R12KT3GBOSA1
    • Infineon Módulo IGBT, 27 A, 600 V, Módulo, Tensión Máxima Puerta-Emisor: +/-20V, Disipación de Potencia Máxima: 94 W, Tipo de Montaje: Montaje en panel, MPN: FP20R06W1E3BOMA1