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Onsemi MOSFET NTJD4001NT1G, VDSS 30 V, ID 250 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado

About The 5V, Disipación de Potencia Máxima: 2,72 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1mm, Longitud: 2.onsemi MOSFET NTJD4001NT1G, VDSS 30 V, ID 250 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config

onsemi MOSFET NTJD4001NT1G, VDSS 30 V, ID 250 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Encapsulado: SOT-363 (SC-88), Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,5 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 2,72 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1mm, Longitud: 2.2mm

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Onsemi MOSFET NTJD4001NT1G, VDSS 30 V, ID 250 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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Specifications of Onsemi MOSFET NTJD4001NT1G, VDSS 30 V, ID 250 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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