STMicroelectronics IGBT, 115 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 357 W, MPN: STGW75H65DFB2-4
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STMicroelectronics IGBT, STGW75H65DFB2-4, 115 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1
Specifications of STMicroelectronics IGBT, STGW75H65DFB2-4, 115 A, 650 V, TO-247, 4-Pines 1 | |
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