Vishay MOSFET SiHG70N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 70 A, TO-247AC de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 38 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 520 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.2V, Altura: 20.82mm
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Vishay MOSFET SiHG70N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 70 A, TO-247AC De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SiHG70N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 70 A, TO-247AC De 3 Pines,, Config. Simple | |
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