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Onsemi Diodo, MBR2030CTLG, Rectificador Schottky, 20A, 30V Barrera Schottky, TO-220, 3-Pines 400mV

About The onsemi Diodo, Rectificador Schottky, 20A, 30V Barrera Schottky, TO-220, 3-Pines 400mV, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: 2 pares de cátodos comunes, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 150A, MPN: MBR2030CTLG

onsemi Diodo, Rectificador Schottky, 20A, 30V Barrera Schottky, TO-220, 3-Pines 400mV, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: 2 pares de cátodos comunes, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 150A, MPN: MBR2030CTLG

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Onsemi Diodo, MBR2030CTLG, Rectificador Schottky, 20A, 30V Barrera Schottky, TO-220, 3-Pines 400mV

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Specifications of Onsemi Diodo, MBR2030CTLG, Rectificador Schottky, 20A, 30V Barrera Schottky, TO-220, 3-Pines 400mV

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onsemi MOSFET NTMYS2D4N04CTWG, VDSS 40 V, ID 138 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines,, config. Simple

onsemi MOSFET NTMYS2D4N04CTWG, VDSS 40 V, ID 138 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines,, config. Simple

onsemi MOSFET NTMYS2D4N04CTWG, VDSS 40 V, ID 138 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 83 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.

    • onsemi MOSFET NVMJS1D5N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 200 A, LFPAK8 de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVMJS1D5N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 200 A, LFPAK8 de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVMJS1D5N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 200 A, LFPAK8 de 8 pines,, config.2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.

    • onsemi MOSFET NTMJS1D5N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 200 A, LFPAK8 de 8 pines,, config. Simple

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    onsemi MOSFET NTMJS1D5N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 200 A, LFPAK8 de 8 pines,, config.2V, Disipación de Potencia Máxima: 110 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.

    • onsemi MOSFET NTHL027N65S3HF, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NTHL027N65S3HF, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 27,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 15.onsemi MOSFET NTHL027N65S3HF, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines,, config.

    • onsemi MOSFET NTHL027N65S3HF, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NTHL027N65S3HF, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 27,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 595 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 15.87mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.onsemi MOSFET NTHL027N65S3HF, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines,, config.