Onsemi MOSFET NTMYS8D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 49 A, LFPAK, SOT-669 De 4 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.onsemi MOSFET NTMYS8D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 49 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines,, config
onsemi MOSFET NTMYS8D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 49 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 38 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Onsemi MOSFET NTMYS8D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 49 A, LFPAK, SOT-669 De 4 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Onsemi MOSFET NTMYS8D0N04CTWG, VDSS 40 V, ID 49 A, LFPAK, SOT-669 De 4 Pines,, Config. Simple | |
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