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Texas Instruments Arrestor De Protección ESD Bidireccional, TPD4E02B04DQAR, 17W, USON, 10-Pines

About The 5V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Corte Inversa Máxima: 3.8V, Tensión Mínima de Ruptura: 5

Texas Instruments Arrestor de protección ESD Bidireccional, 17W, USON, 10-Pines, Configuración de diodo: Quad, Tensión Residual Máxima: 8.8V, Tensión Mínima de Ruptura: 5.5V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Corte Inversa Máxima: 3.6V, Corriente de Pulsos de Pico Máxima: 2A, Protección ESD: Sí, Número de Elementos por Chip: 4, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Capacidad: 0.33pF, MPN: TPD4E02B04DQAR

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Diodos TVS

Texas Instruments Arrestor De Protección ESD Bidireccional, TPD4E02B04DQAR, 17W, USON, 10-Pines

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Specifications of Texas Instruments Arrestor De Protección ESD Bidireccional, TPD4E02B04DQAR, 17W, USON, 10-Pines

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Texas Instruments Regulador de conmutación TPS54334DDA, De bajada, 3A SO PowerPAD, 8 pines, Ajustable, 684 kHz, Tensión de Salida Máxima: 24 V, Tensión de Salida Mínima: 0,8 V, Tensión de Entrada Mínima: 4,2 V, Tensión Máxima de Entrada: 28 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Salidas: 1, Regulador de Conmutación: Sí, Dimensiones: 5 x 4 x 1.55mm
    • Vishay MOSFET SQ4401EY-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 17 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SQ4401EY-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 17 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: SQ Rugged, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 24 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.

    • Texas Instruments Controlador USB TPS25810RVCT, 20 pines, WQFN, USB 1.1, Interfaz: Circuito integrado del controlador, Tipo de Fuente de Alimentación: Doble, Protección ESD: Sí, Tensión de Alimentación Dual Típica: 5.5 V, 6.5V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Dimensiones: 4.1 x 3.1 x 0.75mm, Longitud: 4.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ancho: 3.1mm
    • Vishay MOSFET SQ3456BEV-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 7,8 A, TSOP-6 de 6 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SQ3456BEV-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 7,8 A, TSOP-6 de 6 pines,, config. Simple

    Simple, Serie: SQ Rugged, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 64 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.Vishay MOSFET SQ3456BEV-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 7,8 A, TSOP-6 de 6 pines,, config.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQ3456BEV-T1-GE3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.

    • Vishay MOSFET SQ3456BEV-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 7,8 A, TSOP-6 de 6 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET SQ3456BEV-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 7,8 A, TSOP-6 de 6 pines,, config. Simple

    1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: SQ3456BEV-T1-GE3. Simple, Serie: SQ Rugged, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 64 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.Vishay MOSFET SQ3456BEV-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 7,8 A, TSOP-6 de 6 pines,, config.5V, Disipación de Potencia Máxima: 4 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 3.