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Onsemi MOSFET NVMFSC0D9N04CL, VDSS 40 V, ID 316 A, DFN De 8 Pines,, Config. Simple

About The 5V, Disipación de Potencia Máxima: 166 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2

Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 166 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C onsemi MOSFET NVMFSC0D9N04CL, VDSS 40 V, ID 316 A, DFN de 8 pines,, config.

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Specifications of Onsemi MOSFET NVMFSC0D9N04CL, VDSS 40 V, ID 316 A, DFN De 8 Pines,, Config. Simple

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Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 840mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 9.9 ms, Altura: 45mm, Longitud: 844mm, Aplicación: Area, Dimensiones: 844 x 36 x 45 mm, Características: EDM, Fault Out and Amp, Fault Reset, Tipo de Terminal: 8-Pin Quick Disconnect, MPN: 3089720.

    • onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 8.onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines,, config.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.

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    protegida 560mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 8.

    • onsemi MOSFET NVMFSC1D6N06CL, VDSS 60 V, ID 224 A, DFN8 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple

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    Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.

    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 490mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

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    protegida 490mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 8.2 ms, Altura: 45mm, Longitud: 495mm, Aplicación: Area, Dimensiones: 495 x 36 x 45 mm, Características: EDM, Fault Out and Amp, Fault Reset, Tipo de Terminal: 8-Pin Quick Disconnect, MPN: 3089715.Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt.

    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 420mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

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    Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 420mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 8.2 ms, Altura: 45mm, Longitud: 425mm, Aplicación: Area, Dimensiones: 425 x 36 x 45 mm, Características: EDM, Fault Out and Amp, Fault Reset, Tipo de Terminal: 8-Pin Quick Disconnect, MPN: 3089714.

    • onsemi MOSFET NVMFSC0D9N04CL, VDSS 40 V, ID 316 A, DFN de 8 pines,, config. Simple

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    onsemi MOSFET NVMFSC0D9N04CL, VDSS 40 V, ID 316 A, DFN de 8 pines,, config.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.

    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 420mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

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    Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt.2 ms, Altura: 45mm, Longitud: 425mm, Aplicación: Area, Dimensiones: 425 x 36 x 45 mm, Características: EDM, Fault Out and Amp, Fault Reset, Tipo de Terminal: 8-Pin Quick Disconnect, MPN: 3089714. protegida 420mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 8.

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    5V, Disipación de Potencia Máxima: 166 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.onsemi MOSFET NVMFSC0D9N04CL, VDSS 40 V, ID 316 A, DFN de 8 pines,, config.