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Banner Barrera Inmaterial SLL, Emisor Y Receptor, Alt. Protegida 560mm, Resolución 40mm, 24 V Dc, SIL3

About The 2 ms, Altura: 45mm, Longitud: 564mm, Aplicación: Area, Dimensiones: 564 x 36 x 45 mm, Características: EDM, Fault Out and Amp, Fault Reset, Tipo de Terminal: 8-Pin Quick Disconnect, MPN: 3089716.Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt

Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 560mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 8.2 ms, Altura: 45mm, Longitud: 564mm, Aplicación: Area, Dimensiones: 564 x 36 x 45 mm, Características: EDM, Fault Out and Amp, Fault Reset, Tipo de Terminal: 8-Pin Quick Disconnect, MPN: 3089716

Automatización Industrial & Distribución de Baja Tensión Eléctrica > Automatización y Control de Procesos > Sensores Industriales > Barreras de Seguridad

Banner Barrera Inmaterial SLL, Emisor Y Receptor, Alt. Protegida 560mm, Resolución 40mm, 24 V Dc, SIL3

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Specifications of Banner Barrera Inmaterial SLL, Emisor Y Receptor, Alt. Protegida 560mm, Resolución 40mm, 24 V Dc, SIL3

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STMicroelectronics MOSFET STWA75N60M6, VDSS 600 V, ID 72 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

STMicroelectronics MOSFET STWA75N60M6, VDSS 600 V, ID 72 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 36 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.STMicroelectronics MOSFET STWA75N60M6, VDSS 600 V, ID 72 A, TO-247 de 3 pines,, config.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.25V, Disipación de Potencia Máxima: 446 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 15.

    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 1330mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

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    9 ms, Altura: 45mm, Longitud: 1. protegida 1330mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 12.Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt.

    • STMicroelectronics MOSFET STWA75N60DM6, VDSS 600 V, ID 72 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

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    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 36 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.STMicroelectronics MOSFET STWA75N60DM6, VDSS 600 V, ID 72 A, TO-247 de 3 pines,, config.25V, Disipación de Potencia Máxima: 446 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±25 V, Longitud: 15.75V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3.

    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 840mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

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    protegida 840mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 9.9 ms, Altura: 45mm, Longitud: 844mm, Aplicación: Area, Dimensiones: 844 x 36 x 45 mm, Características: EDM, Fault Out and Amp, Fault Reset, Tipo de Terminal: 8-Pin Quick Disconnect, MPN: 3089720.Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt.

    • onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines,, config. Simple

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    1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 8.onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines,, config.

    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 630mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

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    Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 630mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 8.

    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 560mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

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    Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt.2 ms, Altura: 45mm, Longitud: 564mm, Aplicación: Area, Dimensiones: 564 x 36 x 45 mm, Características: EDM, Fault Out and Amp, Fault Reset, Tipo de Terminal: 8-Pin Quick Disconnect, MPN: 3089716. protegida 560mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 8.

    • onsemi MOSFET NVMFSC1D6N06CL, VDSS 60 V, ID 224 A, DFN8 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVMFSC1D6N06CL, VDSS 60 V, ID 224 A, DFN8 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple

    9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.onsemi MOSFET NVMFSC1D6N06CL, VDSS 60 V, ID 224 A, DFN8 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 166 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5.

    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 560mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

    Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 560mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

    2 ms, Altura: 45mm, Longitud: 564mm, Aplicación: Area, Dimensiones: 564 x 36 x 45 mm, Características: EDM, Fault Out and Amp, Fault Reset, Tipo de Terminal: 8-Pin Quick Disconnect, MPN: 3089716. protegida 560mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 8.Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt.

    • onsemi MOSFET NVMFSC1D6N06CL, VDSS 60 V, ID 224 A, DFN8 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVMFSC1D6N06CL, VDSS 60 V, ID 224 A, DFN8 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVMFSC1D6N06CL, VDSS 60 V, ID 224 A, DFN8 5 x 6 de 8 pines,, config.2V, Disipación de Potencia Máxima: 166 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.