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Onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN De 8 Pines,, Config. Simple

About The onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 8

onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 8.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C

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Onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN De 8 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN De 8 Pines,, Config. Simple

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Norgren Filtro neumático Excelon Plus 0.01μm 1500l/min G 3/4, Automático, Tamaño de la Filtración: 0.01µm, Velocidad de Caudal Típica: 25L/s, Mínima Presión de Funcionamiento: 0.3bar, Máxima Presión de Funcionamiento: 10 bar, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +60°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -10°C, Tamaño de la Rosca de Conexión de Puerto: 3/4 in, Material de recipiente: Policarbonato, Tipo de filtro: Filtro de eliminación de aceite, MPN: F84C-6GD-AP0
    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 1610mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

    Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 1610mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

    protegida 1610mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 14.

    • STMicroelectronics MOSFET STWA75N60M6, VDSS 600 V, ID 72 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple
    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 1330mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

    Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 1330mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

    Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt.9 ms, Altura: 45mm, Longitud: 1.333m, Aplicación: Area, Dimensiones: 1333 x 36 x 45 mm, Características: EDM, Fault Out and Amp, Fault Reset, Tipo de Terminal: 8-Pin Quick Disconnect, MPN: 3089727.

    • STMicroelectronics MOSFET STWA75N60DM6, VDSS 600 V, ID 72 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple
    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 840mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

    Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 840mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

    Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 840mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 9.

    • onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines,, config.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 8.

    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 630mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

    Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 630mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3

    6 ms, Altura: 45mm, Longitud: 634mm, Aplicación: Area, Dimensiones: 634 x 36 x 45 mm, Características: EDM, Fault Out and Amp, Fault Reset, Tipo de Terminal: 8-Pin Quick Disconnect, MPN: 3089717. protegida 630mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3, Tipo de Componente: Emisor, receptor, Maxima Distancia de Escaneo: 12m, Tiempo de Respuesta Máxima: 8.Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt.

    • onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET NVMTS1D2N08H, VDSS 80 V, ID 337 A, DFN de 8 pines,, config. Simple

    1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,1 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 300 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 8.

    • Banner Barrera inmaterial SLL, Emisor y receptor, alt. protegida 630mm, resolución 40mm, 24 V dc, SIL3