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ROHM MOSFET RD3G03BATTL1, VDSS 40 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

About The ROHM MOSFET RD3G03BATTL1, VDSS 40 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

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Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

ROHM MOSFET RD3G03BATTL1, VDSS 40 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

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Specifications of ROHM MOSFET RD3G03BATTL1, VDSS 40 V, ID 35 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

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SICK Barrera inmaterial M40Z, 2 haces, 24 V CC, seguridad cat. Tipo 4, SILSIL 3

SICK Barrera inmaterial M40Z, 2 haces, 24 V CC, seguridad cat. Tipo 4, SILSIL 3

Tipo 4, SILSIL 3, PL (EN ISO 13849-1): PL e, Distancia de Escaneo Mínima: 0.SICK Barrera inmaterial M40Z, 2 haces, 24 V CC, seguridad cat.072m, Dimensiones: 1072 x 52 mm, Tipo de Terminal: Conector M12, Anchura: 52mm, MPN: 1200115.5m, Tiempo de Respuesta Máxima: 10 ms, Longitud: 1.

    • Ezurio Módulo WiFi y Bluetooth, 802.11a, IEEE 802.11ac, IEEE 802.11b/g, IEEE 802.11n, Interfáz UART, USB,, MPN: 453-00048
    • ROHM Diodo, 1A, 350V Conexión de silicio, TO-252GE, 3-Pines, MPN: RFN10BGE3STL

    ROHM Diodo, 1A, 350V Conexión de silicio, TO-252GE, 3-Pines, MPN: RFN10BGE3STL

    ROHM Diodo, RFN10BGE3STL, 1A, 350V Conexión de silicio, TO-252GE, 3-Pines.

    • SICK Sensor de intensidad de luz serie LUT3, alcance 20 mm, LED, 12 →30 V, salida NPN PNP, IP67, Corriente Máxima: 100 mA, Frecuencia de Conmutación: 1,5 kHz, Conexión Eléctrica: Conector M12, Display LED del Estado: Sí, Material de la Carcasa: Metal, zinc presofundido, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -10°C, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +55°C, MPN: 1015397
    • SICK Sensor de intensidad de luz serie LUT3, alcance 20 mm, LED, 12 →30 V, salida NPN PNP, IP67, Corriente Máxima: 100 mA, Frecuencia de Conmutación: 1,5 kHz, Conexión Eléctrica: Conector M12, Display LED del Estado: Sí, Material de la Carcasa: Metal, zinc presofundido, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -10°C, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +55°C, MPN: 1015397