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Vishay MOSFET SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple

About The Vishay MOSFET SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOT-23 de 3 pines,, config.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1

Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 42 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 2,1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.02mm, Longitud: 3.04mm Vishay MOSFET SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOT-23 de 3 pines,, config.

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Specifications of Vishay MOSFET SI2366DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOT-23 De 3 Pines,, Config. Simple

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