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Vishay MOSFET SIR5802DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 137,5 A., POWERPAK SO-8 De 8 Pines

About The Vishay MOSFET SIR5802DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 137,5 A., POWERPAK SO-8 de 8 pines, Serie: N-Channel 80 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,004 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

Vishay MOSFET SIR5802DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 137,5 A., POWERPAK SO-8 de 8 pines, Serie: N-Channel 80 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,004 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Vishay MOSFET SIR5802DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 137,5 A., POWERPAK SO-8 De 8 Pines

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Specifications of Vishay MOSFET SIR5802DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 137,5 A., POWERPAK SO-8 De 8 Pines

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Vishay MOSFET SIR5802DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 137,5 A., POWERPAK SO-8 De 8 Pines
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Vishay MOSFET SQA700CEJW-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 9 A, POWERPAK SC-70W-6L de 7 pines, Serie: N-Channel 100 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,99 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V
    • Vishay AEC-Q200 Resistencia SMD, 24kΩ, ±1%, 0.2W, Película Fina, Melf 0102 150V, Serie MMU, Coeficiente de Temperatura: ±50ppm/K, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, MPN: MMU01020C2402FB300
    • Vishay MOSFET SQA470CEJW-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 2,25 A, POWERPAK SC-70W-6L de 7 pines, Serie: N-Channel 30 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,095 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.3V
    • Vishay MOSFET SQA401CEJW-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 3,75 A, POWERPAK SC-70W-6L de 7 pines, Serie: P-Channel 20, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,2 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.3V
    • Vishay MOSFET SQA401CEJW-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 3,75 A, POWERPAK SC-70W-6L de 7 pines, Serie: P-Channel 20, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,2 Ω, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.3V