onsemi MOSFET FDS4465, VDSS 20 V, ID 13.5 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.4V, Disipación de Potencia Máxima: 2500 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
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Onsemi MOSFET FDS4465, VDSS 20 V, ID 13.5 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET FDS4465, VDSS 20 V, ID 13.5 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple | |
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