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Infineon Memoria DDR SDRAM S27KS0643GABHV020, 64Mbit, 200MHZ, Montaje Superficial, FBGA, 24 Pines DDR

About The Infineon Memoria DDR SDRAM S27KS0643GABHV020, 64Mbit, 200MHZ, Montaje superficial, FBGA, 24 pines DDR, Organización: 8M x 8, Ancho del Bus de Datos: 8bit, Ancho del Bus de Direcciones: 16bit, Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: 35ns, Dimensiones: 8 x 6 x 1mm, Longitud: 8mm

Infineon Memoria DDR SDRAM S27KS0643GABHV020, 64Mbit, 200MHZ, Montaje superficial, FBGA, 24 pines DDR, Organización: 8M x 8, Ancho del Bus de Datos: 8bit, Ancho del Bus de Direcciones: 16bit, Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: 35ns, Dimensiones: 8 x 6 x 1mm, Longitud: 8mm

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Chips de Memoria > SDRAM

Infineon Memoria DDR SDRAM S27KS0643GABHV020, 64Mbit, 200MHZ, Montaje Superficial, FBGA, 24 Pines DDR

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Specifications of Infineon Memoria DDR SDRAM S27KS0643GABHV020, 64Mbit, 200MHZ, Montaje Superficial, FBGA, 24 Pines DDR

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Infineon Memoria DDR SDRAM S27KS0643GABHV020, 64Mbit, 200MHZ, Montaje Superficial, FBGA, 24 Pines DDR
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Hutchinson Le Joint Français Junta tórica de Caucho: FKM DF801, Ø int.

Hutchinson Le Joint Français Junta tórica de Caucho: FKM DF801, Ø int.

03mm, grosor 1. 8.47mm, Ø ext. Hutchinson Le Joint Français Junta tórica de Caucho: FKM DF801, Ø int.

    • Molex Carcasa de conector 39-01-4040, Serie Mini-Fit Jr, paso: 4.2mm, 4 contactos,, 1 fila filas, Recto, Hembra,
    • Molex Carcasa de conector 39-01-2240, Serie Mini-Fit Jr, paso: 4.2mm, 24 contactos, 2 filas, Recto, Conector, Montaje
    • Molex Carcasa de conector 43025-1800, Serie 43025, paso: 3mm, 18 contactos, 2 filas, Recto, Hembra, Montaje de Cable, Para Uso Con: Conector hembra Micro-Fit 3.0, Longitud: 27.85mm, Anchura: 11.56mm, Material de la Carcasa: Nylon
    • HY Electronic Corp Diodo, Rectificador Schottky, 3A, 40V Schottky, DO-214AB (SMC), 2-Pines 500mV, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 100A, MPN: SS34
    • HY Electronic Corp Diodo, Rectificador Schottky, 2A, 40V Schottky, DO-214AA (SMB), 2-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Simple, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 50A, MPN: SS24
    • Microchip Kit de evaluación SAM R30 Xplained Pro de, con núcleo ARM Cortex M0, Tecnología: MCU, Referencia del procesador: ATSAMR30, MPN: ATSAMR30-XPRO
    • Infineon Memoria DDR SDRAM S27KS0643GABHV020, 64Mbit, 200MHZ, Montaje superficial, FBGA, 24 pines DDR, Organización: 8M x 8, Ancho del Bus de Datos: 8bit, Ancho del Bus de Direcciones: 16bit, Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: 35ns, Dimensiones: 8 x 6 x 1mm, Longitud: 8mm
    • Microchip Kit de evaluación SAM R30 Xplained Pro de, con núcleo ARM Cortex M0, Tecnología: MCU, Referencia del procesador: ATSAMR30, MPN: ATSAMR30-XPRO
    • Infineon Memoria DDR SDRAM S27KS0643GABHV020, 64Mbit, 200MHZ, Montaje superficial, FBGA, 24 pines DDR, Organización: 8M x 8, Ancho del Bus de Datos: 8bit, Ancho del Bus de Direcciones: 16bit, Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: 35ns, Dimensiones: 8 x 6 x 1mm, Longitud: 8mm