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Infineon MOSFET IRLR3636TRLPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

About The 22mm.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 143 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Tensión de diodo directa: 1

Infineon MOSFET IRLR3636TRLPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 143 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Tensión de diodo directa: 1.3V, Altura: 6.22mm

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Infineon MOSFET IRLR3636TRLPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

More from Infineon? Infineon MOSFET IRLR3636TRLPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines, Tipo De Montaje: Montaje Superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,3 MΩ, Modo De Canal: Mejora, Tensión De Umbral De Puerta Máxima: 2.5V, Tensión De Umbral De Puerta Mínima: 1V, Disipación De Potencia Máxima: 143 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Tensión De Diodo Directa: 1.3V, Altura: 6.22mm
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Specifications of Infineon MOSFET IRLR3636TRLPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

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Infineon MOSFET IRLR3636TRLPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines
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Panasonic Condensador electrolítico serie M-A, 4.7μF, ±20%, 450V dc, Radial, Orificio pasante, 10 (Dia.) x 20mm, paso, Capacitancia: 4.7µF, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -25°C, Diámetro: 10mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +85°C, Paso del Pin: 5mm, Vida Útil: 2000h, Corriente de Rizado: 79mA, MPN: ECA2WM4R7
    • Hirschmann Test & Measurement Sondas de prueba Hirschmann de color Verde, Conector hembra, 1kV, 32A, Tipo de cable de prueba: Cables de sondas de prueba de 4 mm, MPN: 972357704
    • WIKA Manómetro, -1bar, conexión NPT 1/2, Ø ext. 100mm

    WIKA Manómetro, -1bar, conexión NPT 1/2, Ø ext. 100mm

    50, MPN: 48798913.WIKA Manómetro, -1bar, conexión NPT 1/2, Ø ext. 100mm, Tipo de montaje: Entrada inferior, Tipo de Display: Analógico, Serie: 23X.

    • Liscombe Mono reutilizable, talla 56 cm, MPN: PC245BSBLK-SCHNEI-56
    • Hirschmann Test & Measurement Conector hembra para pruebas, 6A, 60V dc, Blanco, Tipo de cable de prueba: Cables de prueba de conector de 2 mm, MPN: 938420107
    • Essentra Separador roscado hexagonal, M4, long. 5mm, de Latón

    Essentra Separador roscado hexagonal, M4, long. 5mm, de Latón

    Essentra Separador roscado hexagonal, M4, long. 5mm, de Latón, Hex Size Across Flat: 7mm, Acabado: Chapado en Níquel, Plano, MPN: HTSB-M4-05-7-1.

    • Infineon MOSFET IRLR3636TRLPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 143 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Tensión de diodo directa: 1.3V, Altura: 6.22mm
    • Infineon MOSFET IRLH5034TRPBF, VDSS 40 V, ID 100 A, PQFN de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 156 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Tensión de diodo directa: 1.3V, Altura: 0.85mm
    • Infineon MOSFET IRLR3636TRLPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,3 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 143 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Tensión de diodo directa: 1.3V, Altura: 6.22mm
    • Infineon MOSFET IRLH5034TRPBF, VDSS 40 V, ID 100 A, PQFN de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,2 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 156 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -16 V, +16 V, Tensión de diodo directa: 1.3V, Altura: 0.85mm